所有晶體元件除了主響應(需要的頻率)之外，還有其它的頻率響應。減弱寄生響應的辦法是改變晶片的幾何尺寸、電極，以及晶片加工工藝，但是同時會改變晶體的動、靜態參數。
典型影響包括：
頻率不穩定：主頻受干擾后發生漂移；
信號失真：輸出波形疊加寄生頻率成分；
系統性能下降：如通信設備誤碼率升高、數字電路時序錯誤
與泛音響應的區別
泛音是晶振設計的固有高次諧波（如3次、5次泛音），而寄生響應是完全無關的非設計頻率，需通過工藝和電路設計抑制
寄生響應的測量
1、 SPDB 用DB表示Fr的幅度與最大寄生幅度的差值;
2、 SPUR 在最大寄生處的電阻;
3、 SPFR 最小電阻寄生與諧振頻率的距離，用Hz或ppm表示。
晶振寄生響應是高頻電路可靠性的核心威脅，其本質是“非受控諧振”，需從“晶片-電路-測試”三層面協同管控：
?? 優選SPDB≤-40dB的高Q值晶振（如TCXO/OCXO）；
?? 嚴格限定激勵功率與負載容抗；
?? 采用直接阻抗法替代傳統測量，結合全溫域掃描排除隱患。
對可靠性要求苛刻的場景（5G基站、航天電子）
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