晶振生產的真空度，沒有單一標準值，具體要求取決于具體的生產工序。不同環節為實現不同目標，所需的真空度級別差異很大。
核心原因在于，真空環境主要用來消除空氣和雜質的影響。研究表明，即使在10??托（約1.33×10?? Pa）的真空下，氣態微粒濃度仍然很高，但已能顯著減少石英晶片表面吸附污染物，這對保證晶振的長期穩定性（如老化特性）至關重要。
下表整理了晶振在幾個關鍵制造環節中典型的真空度要求或實際應用值：
| 生產環節 | 典型真空度范圍 | 主要目的與說明 |
|---|---|---|
| 電極鍍膜 (如蒸鍍) |
超高真空10?? Pa 至 10?? Pa 量級 |
在晶片上沉積金屬電極。需要極高真空來保證薄膜純度、附著力和頻率精度。 |
| 封裝前烘烤除氣 |
中高真空 約 -0.1 MPa（約-760 Torr或1.33×10?² Pa） |
在密封前，于真空烘箱中加熱組件，去除吸附的水汽和氣體。 |
| 真空密封封裝 |
中真空5×10?² Pa 至 1.1×10?³ Pa 量級 |
在充滿氮氣的腔室內抽真空后密封，可顯著改善晶振的電阻等指標。某些封焊設備真空室要求達-0.1 MPa。 |
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